با توجه به اینکه تقاضای بالای حافظههای با پهنای باند بالا (HBM) از میزان عرضه پیشی گرفته است، طبق گزارشها شرکت سامسونگ الکترونیکس بیش از ۵۰ درصد ظرفیت تولید ۴ نانومتری خود را به ساخت تراشههای حافظه اختصاص داده است.
این گزارش توسط ZDNet Korea منتشر شده و به دای پایه (Base Die) مورد استفاده در تراشههای حافظه مربوط میشود. برخلاف ماژولهای HBM DRAM که با گرههای اختصاصی تولید میشوند، بیس دای با استفاده از فناوریهایی ساخته میشود که برای تولید تراشههای منطقی به کار میروند.
ZDNet در گزارش خود به نقل از منابعی در داخل و خارج از سامسونگ اعلام کرده است که تا ماه گذشته، ۵۰ درصد از ظرفیت تولید تراشههای ۴ نانومتری این شرکت به تراشههای حافظه HBM4 اختصاص یافته بود.
این نشریه حتی اعلام کرده که خطوط تولید ۴ نانومتری سامسونگ درحالحاضر با ظرفیت کامل فعالیت میکنند و حدود ۵۰ تا ۶۰ درصد از تولید این خطوط به دای پایه تراشههای HBM4 اختصاص دارد.
نقش سامسونگ در صنعت جهانی تولید نیمهرساناها به این شرکت اجازه میدهد هم تراشههای DRAM و هم تراشههای دای پایه مورد استفاده در این محصولات را طراحی کند. تکامل فناوری تولید حافظه باعث شده اهمیت دای پایه که در پایینترین لایههای DRAM قرار میگیرد و در ساختار HBM روی یکدیگر انباشته میشود، افزایش یابد.
گزارش جدید ZDNet اعلام میکند که سامسونگ در حال تولید انبوه محصولات مختلف با استفاده از فناوریهای ساخت ۴ تا ۷ نانومتری خود است. این تولید در Campus 2 و Campus 3 مجموعه Pyeongtaek سامسونگ انجام میشود و خطوط تولید S5 و S6 در این فرایند مورد استفاده قرار گرفتهاند.
ظرفیت کلی تولید فناوری ۴ نانومتری در این تأسیسات به ۳۰ هزار ویفر در ماه میرسد که از این میزان، ۱۵ هزار ویفر برای تولید دای پایه HBM4 اختصاص داده شده است.
در گزارش قبلی در ماه آگوست گفته شده بود که سامسونگ درحال بررسی استفاده از فناوری ۲ نانومتری خود برای تولید دای پایه HBM است.
آن گزارش نیز توسط ZDNet منتشر شده بود و ادعا میکرد سامسونگ به دنبال استفاده مجدد از یکی از خطوط تولید خود در منطقه صنعتی Giheung است. همچنین در آن گزارش آمده بود که دایهای پایه HBM با فناوری ۲ نانومتری ممکن است بهطور اختصاصی برای تراشههایی که توسط شرکت انویدیا طراحی میشوند، تولید شوند.
حرکت به سمت استفاده از فرایندهای تولید تراشههای منطقی برای ساخت دایهای پایه HBM از محصولات HBM3 و HBM3E آغاز شد. این تراشهها بهدلیل نرخ انتقال داده و سرعت بالاتر پینها، به فناوریهای پیشرفتهتری نیاز داشتند.
درحالیکه سامسونگ برای تولید Base Die به فناوریهای داخلی خود متکی است، SK hynix تولید این بخش را به TSMC برونسپاری کرده است. همچنین گفته میشود مایکرون از یک فرایند تولید اختصاصی برای این بخش استفاده میکند.
نظرات کاربران